全球存儲芯片巨頭美光科技近日宣布，將在美國紐約州啟動一項具有里程碑意義的投資計劃。根據官方披露，該公司計劃在奧農達加縣克萊鎮打造全球最前沿的DRAM內存制造基地，項目總投資額高達1000億美元（按當前匯率折合約7002.6億元人民幣）。
這座未來感十足的晶圓廠集群將于2026年1月16日正式破土動工，建成后將成為紐約州歷史上規模最大的單筆私人投資項目。美光科技表示，該基地將采用業界最先進的制造工藝，專注于生產高性能DRAM內存芯片，產品將廣泛應用于人工智能、數據中心、5G通信等高增長領域。
項目選址所在的克萊鎮位于紐約州中部，具備完善的半導體產業配套設施。美光科技強調，這項投資不僅將創造數千個高技術崗位，還將帶動周邊供應鏈企業協同發展，形成完整的半導體產業生態圈。據測算，項目建成后預計每年可為當地經濟貢獻超過50億美元產值。
業內分析人士指出，在全球半導體產業鏈重構的背景下，美光科技此舉彰顯了其鞏固技術領先地位的決心。隨著人工智能算力需求的爆發式增長，高端DRAM內存市場正迎來前所未有的發展機遇，該項目的落地將顯著提升美國在存儲芯片領域的自主可控能力。
