根據TrendForce集邦咨詢最新發布的存儲器市場價格調查報告，2026年第二季度全球存儲芯片市場將迎來顯著價格波動。其中，DRAM領域因主要供應商加速產能結構調整，將資源向高帶寬內存（HBM）和服務器級產品傾斜，同時通過差異化定價策略縮小產品線價差，推動整體價格上行。盡管終端消費電子需求存在放緩風險，但標準型DRAM（Conventional DRAM）合約價格仍預計環比增長58%至63%，創下近年單季最大漲幅。
NAND Flash市場則延續AI算力需求驅動的增長態勢。數據中心建設加速與生成式AI應用普及，帶動全產品線呈現連鎖漲價效應。報告指出，第二季度NAND Flash整體合約價格漲幅將達70%至75%，其中企業級固態硬盤（SSD）和高端存儲卡類產品漲幅最為顯著。值得關注的是，部分供應商已開始調整產能分配，優先保障AI服務器等高毛利訂單，進一步加劇了消費級產品的供應緊張局面。
行業分析認為，本輪存儲芯片漲價潮具有明顯的結構性特征。DRAM市場受HBM技術迭代影響，傳統產品產能持續收縮，而NAND Flash則因AI數據存儲需求爆發形成持續支撐。兩大市場雖同處漲價周期，但驅動邏輯存在差異：DRAM價格更多反映供給側改革成效，NAND Flash漲幅則直接對應需求側爆發式增長。這種分化態勢預計將持續至2026年下半年，直到新增產能逐步釋放。
