芯片行業新一輪漲價潮正在全球蔓延，中微半導與國科微兩大國內廠商近日同步宣布調價，部分產品漲幅最高達80%。此次漲價覆蓋MCU、存儲芯片及封測環節，行業供需失衡局面持續加劇，AI算力需求成為核心驅動因素。
中微半導發布公告稱，即日起對MCU及NorFlash產品線實施15%-50%的價格上浮。公司透露，原材料框架、封測等環節成本激增，疊加產能緊張導致的交付周期延長，迫使企業通過提價傳導壓力。國科微則針對不同容量KGD產品實施階梯式漲價：512Mb產品上調40%，1Gb產品上調60%，2Gb產品漲幅達80%，并預留第二季度根據成本動態調整的空間。
國際存儲巨頭三星電子的調價動作更具沖擊性。該公司將2026年一季度NAND閃存報價翻倍，DRAM價格此前已上調近70%，目前正與客戶就二季度NAND價格展開新一輪談判。市場研究機構指出，三星的激進策略或將引發行業連鎖反應，主要存儲封測廠商近期報價已上調最高30%，且不排除短期內啟動第二波漲價。
產能擴張與需求增長的賽跑愈發激烈。美光科技宣布未來十年在新加坡投資240億美元建設NAND晶圓廠，預計2028年下半年投產。但業內普遍認為，晶圓廠建設周期長達3-4年，短期內難以緩解供需矛盾。東海證券分析指出，當前電子行業處于需求復蘇與供給出清的雙重周期，存儲芯片價格上行趨勢具有持續性。
資本市場已提前反應行業景氣度。神工股份預計2025年凈利潤同比增長118.71%-167.31%，主要受益于海外AI需求拉動高端邏輯芯片產能，以及國內存儲廠商加速國產替代帶來的關鍵耗材訂單增長。中微半導同期凈利潤預增107.55%，顯示漲價效應正在向產業鏈中游傳導。
機構研究呈現高度一致性看漲預期。摩根士丹利報告預測，2025年二季度至2026年存儲行業將迎來超級周期，DDR4、DDR3及NAND產品供應緊張態勢加劇。Counterpoint Research測算，2025年四季度存儲價格將上漲40%-50%，2026年一季度延續同等漲幅，二季度仍有20%上行空間。ClearBridge Investments基金經理強調，AI驅動的存儲需求增長被市場嚴重低估。
A股半導體板塊迎來結構性機遇。中信建投證券研報指出，AI算力爆發與供給側收縮形成共振，存儲產線建設及國產化率提升進入加速期，半導體設備、封測等環節將深度受益。東海證券建議重點關注AI算力芯片、半導體設備及存儲漲價主題，認為當前電子行業估值與基本面形成雙重支撐。
