近日，露笑科技旗下合肥露笑半導體材料有限公司在第三代半導體材料領域接連取得重大突破，引發行業高度關注。作為國內碳化硅材料研發的先鋒企業，合肥露笑不僅在8英寸導電型碳化硅襯底技術上實現關鍵性進展，更成功制備出12英寸半絕緣型碳化硅單晶樣品，標志著我國在大尺寸碳化硅材料制備領域邁入全球領先行列。
碳化硅材料作為第三代半導體的核心基礎，根據導電性能差異可分為導電型和半絕緣型兩大類。其中，導電型碳化硅主要用于新能源汽車、光伏逆變器等功率器件領域，而半絕緣型碳化硅則是5G通信、雷達等射頻器件的關鍵材料。合肥露笑此次突破的12英寸半絕緣型碳化硅單晶，不僅填補了國內在該尺寸領域的空白，更通過全流程工藝驗證，為后續規模化生產奠定了堅實基礎。
據技術團隊介紹，12英寸碳化硅單晶的制備面臨晶體生長速率控制、缺陷密度降低等多重技術挑戰。合肥露笑通過自主研發的長晶設備與工藝優化，成功解決了大尺寸晶體生長中的應力分布問題，使單晶樣品的質量達到國際先進水平。與此同時，公司同步完成的襯底加工全流程測試，驗證了從晶體生長到襯底拋光的完整技術路線可行性。
在8英寸導電型碳化硅領域，合肥露笑此前已實現關鍵技術突破，目前正在推進量產線建設。此次新增的12英寸半絕緣型產線規劃，將與現有8英寸導電型產線形成協同效應，構建覆蓋全應用場景的產品矩陣。公司負責人表示，新產線將采用智能化制造系統，通過數字化控制提升生產效率與產品一致性，滿足下游客戶對高性能碳化硅材料的迫切需求。
隨著新能源汽車、光伏發電等戰略性新興產業的快速發展，碳化硅材料市場需求呈現爆發式增長。行業數據顯示，2023年全球碳化硅襯底市場規模已突破10億美元，預計到2027年將增長至50億美元以上。合肥露笑此次的技術突破與產能布局，不僅有助于提升我國在第三代半導體領域的自主可控能力，更為全球碳化硅產業鏈重構提供了重要支撐。
