近日，富士通半導體公司正式宣布推出一款具有突破性功耗表現的64kb FRAM（鐵電存儲器）芯片，該產品在運行功耗方面達到了同類產品中的最佳水平，特別適用于電池供電設備的開發。

這款新型64kb FRAM采用了富士通專有的鐵電材料技術和低功耗電路設計，在保持高速讀寫性能的同時，將運行功耗降低了約30%相比傳統產品。其工作電壓范圍覆蓋1.8V至3.6V，非常適合物聯網設備、可穿戴設備、醫療監測設備等對電池壽命要求嚴格的應用場景。

FRAM技術結合了RAM的高速讀寫特性和非易失性存儲的數據保持能力，無需電池備份即可在斷電情況下保持數據。此次富士通推出的低功耗版本進一步拓展了FRAM在便攜式設備中的應用潛力。

據富士通半導體事業部負責人介紹，這款產品已經完成樣品測試，預計將于下季度開始批量供貨。該產品的推出標志著低功耗存儲器技術在電池供電設備領域邁出了重要一步，將為設備制造商提供更長的電池續航時間和更緊湊的產品設計可能。