近期，閃存市場迎來新一輪價格波動，部分產品價格漲幅接近40%。根據CFM閃存市場監測數據，1Tb QLC閃存價格攀升至12.50美元，較此前上漲25%；同規格TLC產品價格漲至13美元，漲幅達23.81%；512Gb TLC產品以38.46%的漲幅領跑，單價升至9美元；256Gb TLC產品則上漲14.58%至5.50美元。
在小米集團近日舉行的業績電話會上，公司總裁盧偉冰針對存儲成本攀升問題作出回應。他指出，本輪內存價格上漲呈現長期化特征，主要驅動力來自AI技術引發的HBM（高帶寬存儲器）需求激增，而非傳統消費電子行業的周期性波動。為應對供應鏈壓力，小米已與合作伙伴簽訂2026年全年供應協議，并通過產品升級和價格調整策略緩解成本壓力。
作為半導體存儲器的核心組成部分，閃存與DRAM形成互補關系。前者采用非易失性技術，斷電后仍可保存數據，廣泛應用于手機、電腦等設備的存儲模塊；后者作為動態隨機存取存儲器，主要用于計算機內存，但數據在斷電后會丟失。當前市場主流的NAND閃存以存儲單元（Cell）為基本單位，根據每個單元存儲的數據位數劃分為QLC和TLC兩類技術路線。
QLC技術每個存儲單元可容納4位數據，憑借高容量特性成為數據中心和固態硬盤的主流方案；TLC技術每個單元存儲3位數據，因成本優勢占據消費電子市場主導地位，常見于智能手機、筆記本電腦的固態硬盤及U盤等設備。這兩種技術共同支撐起全球存儲市場的供需格局。
本輪價格異動源于供需兩端的雙重擠壓。供給端方面，三星、SK海力士、鎧俠、美光等頭部企業自今年下半年起集體削減NAND晶圓產量。數據顯示，三星三至四季度的投入量同比減少15%，SK海力士降幅達20%，鎧俠和美光分別下調12%和18%。與此同時，為搶占AI存儲市場，多家廠商將傳統TLC產線改造為QLC工藝，進一步壓縮常規NAND產能。
需求端則呈現爆發式增長態勢。隨著AI技術加速落地，數據中心對存儲容量的需求激增。單臺AI服務器的NAND使用量達到傳統服務器的三倍，推動大容量固態硬盤需求飆升。科技企業為保障業務連續性，紛紛加大NAND配額采購力度，部分供應商明年的供貨份額已被提前鎖定，供需失衡直接推高市場價格。
存儲模組廠商威剛科技董事長陳立白在近期活動中坦言，當前四大類存儲產品集體出現缺貨漲價現象，這種情況在其三十余年職業生涯中實屬罕見，給行業運營帶來顯著挑戰。
